晶体管的工作原理图，晶体管的工作原理

很多朋友对晶体管的工作原理图，晶体管的工作原理不是很了解，六月小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

晶体管泛指所有的半导体器件，包括N种，所以也有很多不同的分类方法。晶体管按所用材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管；按极性可分为NPN型三极管和PNP型三极管；按结构和制造工艺可分为扩散晶体管和合金晶体管。

和平面晶体管；还可以根据不同的电流容量、不同的工作频率、不同的封装结构分为不同的类型。但晶体管多指晶体管，主要分为双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

下面我们将以BJT和FET为例，介绍晶体管的工作原理。三极管工作原理—— 双极晶体管双极晶体管，英文名称为Bipolar Transistor，是双极结型晶体管的缩写，因为它有三个端子，所以我们通常称它为三极管。

三极管由两个PN结构组成，两个PN结将其分为发射极区、基极区和集电极区，相应地产生三个电极：发射极、基极和集电极。三极管的工作原理是酱紫。

首先，电源作用于发射结，使发射结正向偏置，发射区的自由电子不断流向基区，形成发射极电流；其次，自由电子从发射区流向基区。最后，它首先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部形成电子浓度差，使自由电子逐渐从发射结流向基区的集电极结，形成集电极电流；最后，由于集电极结处的反向电压大，阻止了集电极区的自由电子向基区扩散，聚集在集电极结附近的自由电子被吸引到集电极区，形成集电极电流。

三极管工作原理—— Field Effect Transistor 场效应晶体管，英文名称Field Effect Transistor，简称场效应晶体管，是一种通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道。

下面我们以N沟道结型场效应管为例，说明场效应管的工作原理。对应三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。

在栅极和源极之间施加负电压，在漏极和源极之间施加正电压，以保证场效应管能够正常工作。施加的负电压越大，PN结处形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小；结处形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。

这样，通过控制施加在栅极和源极之间的负电压来完成对沟道电流的控制。

以上就是关于晶体管的工作原理图，晶体管的工作原理的知识，希望能够帮助到大家！